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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division NS8MTHE3_A/P
| Artikelnummer: | NS8MTHE3_A/P |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division NS8MTHE3_A/P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NS8MTHE3_A/P.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1 V @ 8 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 1000 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse TO-220AC Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie Automotive, AEC-Q101 Verpackung / Gehäuse TO-220-2 Paket Tube Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Through Hole Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10 µA @ 1000 V Strom - Richt (Io) 8A Kapazität @ Vr, F 55pF @ 4V, 1MHz Grundproduktnummer NS8 NS8MTHE3_A/P Einzelheiten PDF [English] NS8MTHE3_A/P PDF - EN.pdf -
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